【新版】

N半导体,氧化半导体加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
资料形式：DVD/U盘/电子版正文语种: 简体中文
可否打印：是装帧: 平装
分类：专业技术
咨询电话：028-87023516 (手机微信)18980857561 或18190762281
客服QQ1：853136199 客服QQ2：478224130
资料说明：资料都是电子文档PDF格式，可在电脑中阅读、放大缩小、打印，可以网传，也可以刻录在光盘或优盘中（加收40元）邮寄，如需纸质版客户可自行打印。资料具体内容包括技术开发单位信息、技术原理、技术原文，技术配方、工艺流程、制作方法，设备原理、机械设计构造、图纸等，是开发产品不可多得的专业参考资料。

订购请记住资料编号：GY10001-62632 资料价格:198元

1、一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管

[简介]：一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有N型漂移区、N型源区和P型体接触区，在N型漂移区内设有N型漏区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层...

2、一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管

[简介]：本套资料涉及一种N型半导体金刚石单晶及其生产方法。在晶体内含有规则排列的氮、锂和铍原子，其中氮-锂原子对、氮-铍原子对和锂-氮-铍原子对的总量在100-10000ppm之间，半导体单晶的尺寸为0.3-10mm，晶体为正六面体、正八面体或...

3、N型金刚石半导体单晶及其生产方法

[简介]：本套资料主要内容为一种p型半导体出光垂直传导发光二极管的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，在该衬底的正面外延成长发光二极管的发光结构，该发光结构包括依次形成的氮化镓缓冲层和氮化镓发光二极管磊晶层，其中氮化镓发光二...

4、P型、n型半导体出光垂直传导发光二极管的制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种形成PN、PIN、N-型和P-型半导体薄膜的方法，包括以下步骤，提供一熔融的P-型、本质与N-型半导体材料。然后，对此熔融的P-型、本质与N-型半导体材料执行一下拉制程或一铸膜制程。之后，选择性地执行一双边滚动制...

5、形成PN、PIN、N-型和P-型半导体薄膜的方法

[简介]：一种N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：P型硅衬底，在P型硅衬底上设有N-漂移区及P型体区，且P型硅衬底的上表面为N-漂移区及P型体区覆盖，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在N-漂移区...

6、一种N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管

[简介]：本套资料提供了一种适于n型III族氮化物半导体的n型欧姆电极的结构，及其用于提供低的接触电阻率的形成方法。提供的n型欧姆电极在与n型III族氮化物半导体的结界面处包括铝和镧的合金或包括镧。所述方法包括在300℃或更低温度...

7、用于n型Ⅲ族氮化物半导体的n型欧姆电极、具有该电极的半导体发光器件及用于形成n型欧姆电极的方法

[简介]：本套资料涉及具有下述通式的化合物和使用它的有机半导体设备，尤其，包括上述化合物的有机场效应晶体管OFET式I。

8、噻吩吡咯醌型结构n-型半导体材料的合成及包含该材料的半导体设备

[简介]：本套资料主要内容为一种交替排列的P型和N型半导体薄层的形成方法，包括步骤：1在硅衬底上生长本征硅外延层；2在本征硅外延层上刻蚀出沟槽；3倾斜地向沟槽的一面侧壁注入P型杂质，另一面侧壁注入N型杂质；4用本征硅外延填充沟槽...

9、交替排列的P型和N型半导体薄层的形成方法

[简介]：本套资料主要内容为一种交替排列的P型和N型半导体薄层的制备方法，包括步骤：1在硅衬底上形成半导体层；2打开预定窗口，并在同一窗口上对所述半导体层进行P型和N型掺杂介质注入；3重复步骤1和2，直至半导体层的总厚度达到预定...

10、交替排列的P型和N型半导体薄层的制备方法

[简介]：本套资料属于微电子技术领域，具体为一种通过N型半导体衬底局部表面费米能级解钉扎优化金半接触结构的方法。本套资料利用PS微球作为掩膜，将单层密布的PS微球作为模板，结合反应离子刻蚀技术，对半导体衬底进行刻蚀形成期望的图...

11、通过N型半导体局部表面能级解钉扎优化金半接触结构的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，管单元包括漏极金属，在漏极金属上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底，在硅衬底上设N型掺杂外延层，在外延层中设有P型掺杂柱状半导体区，在...

12、一种超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管

[简介]：本技术涉及一种P型、N型半导体粒子测试仪，包括设于机箱内的交流接触器、电源变换模块和温控器以及设于机箱上的声音报警器和电压表，测试工作台上放置有导电底板及加温测试棒。交流电输入信号经交流接触器和电源变换模...

13、P型、N型半导体粒子测试仪

[简介]：本套资料主要内容为一种基于N型硅片的碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池，包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、P型碲化镉半导体薄膜、N型晶体硅、N+背表面场和背金属电极，形成PNN+的异质结结构。本套资料采用P型碲化镉半导体薄...

14、基于N型硅片的碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池

[简介]：一种降压用耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置有N型埋层，P型阱区，N型阱区，N型漂移区，在P型阱区表面靠左侧上设置有P型接触区、N型源区和N型沟道注入区，P型阱区内设有P型注...

15、降压用耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体管

16、降压用耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体管

[简介]：本套资料主要内容为一种交替排列的P型和N型半导体薄层结构的制作方法，在硅基片上，采用外延生长的方法生长交替排列的结构中横向尺寸小的半导体薄层；在所形成的半导体薄层中形成横向尺寸大的半导体薄层所需的沟槽；在所述沟槽中...

17、交替排列的P型和N型半导体薄层结构的制作方法及器件

[简介]：本套资料主要内容为一种用于半导体PN型制冷片表面金属化前处理的溶液及使用方法。本套资料所述溶液由如下按体积百分数计的组分组成：5~52%的*，5~36%的*，0~28gL的表面活性剂，余量为水。通过用本套资料所述溶液对半导体PN型...

18、一种用于半导体PN型制冷片表面金属化前处理的溶液及使用方法

[简介]：本套资料主要内容为一种可改善电学性能的超高电压N型金属氧化物半导体UHVNMOS元件及其制造方法。UHVNMOS元件包括一P型衬底；一第一高压N型阱区域，设置于衬底的一部分；一源极和基体P型阱，设置于邻近第一高压N型阱区域的一侧...

19、超高电压N型金属氧化物半导体元件及其制造方法

[简介]：一种有机半导电组合物，其基本上由NN-二环烷基取代的萘二酰亚胺以及聚合物添加剂组成，所述聚合物添加剂包含在1000Hz下电容率为至少1.5并至多且包括5的绝缘或半导电聚合物。该组合物可用于提供可结合到各种电子器件中的...

20、有机半导电组合物和n-型半导体设备

[简介]：本套资料主要内容为一种形成交替排列的P型和N型半导体薄层的方法，在衬底硅片上生长一层外延层；在所述外延层上形成沟槽；采用硅源气体、氢气、卤化物气体和掺杂气体的混合气体在所述沟槽内进行反型硅外延生长，填充该沟槽；进行硅...

21、Ⅲ族氮化物半导体的n型接触电极及其形成方法

22、Ⅲ族氮化物半导体的n型接触电极及其形成方法

23、N型超结横向双扩散金属氧化物半导体管

24、N型超结横向双扩散金属氧化物半导体管

25、形成交替排列的P型和N型半导体薄层的工艺方法

26、获得交替的P型和N型半导体的方法

27、一种提高电流密度的绝缘体上硅N型半导体组合器件

28、一种提高电流密度的绝缘体上硅N型半导体组合器件

29、用于配置超低电压瞬态电压抑制器的底部源极N型金属氧化物半导体触发的齐纳箝位

30、带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管

31、带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管及方法

32、交替排列的P型和N型半导体薄层的形成方法

33、获得交替排列的P型和N型半导体薄层结构的方法及结构

34、N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管

35、N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管

36、制备n-型半导体金刚石的方法及n-型半导体金刚石

37、N型金属氧化物半导体源漏注入方法

38、N型金属氧化物半导体的源漏区制造方法

39、N型金属氧化物半导体的源漏区制造方法

40、基于N型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池

41、N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管

42、N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管

43、N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管

44、N型Ⅲ族氮化物基化合物半导体及其制造方法

45、减少热载流子效应的N型横向双扩散金属氧化物半导体管

46、高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管

47、N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管

48、柔性衬底生长n型ZnMgO掺Ga半导体薄膜的方法

49、制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法

50、n型MOS场效应管及形成方法，半导体器件及形成方法

51、半导体结构及N型金属氧化物半导体晶体管的形成方法

52、含有斜线型萘二酰亚胺单元的n-型有机半导体材料

53、n型导电性氮化铝半导体结晶及其制造方法

54、高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法

55、一种高维持电压N型静电防护半导体器件

56、测量半导体硅材料PN型及电阻率的多功能测试仪

57、沟槽高压N型金属氧化物半导体管及其制备工艺

58、n型半导体器件及其制造方法

59、最小化N型掺杂物扩散的经沉积半导体结构和制造方法

60、一种绝缘体上硅可集成大电流N型组合半导体器件

61、半导体制冷片P、N型晶粒自动排粒机

62、半导体制冷片P、N型晶粒自动排粒机

63、半导体制冷片P、N型晶粒自动排粒机

64、高压N型金属氧化物半导体管

65、高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法

66、金刚石n型半导体及其制造方法、半导体元件及电子*元件

67、获得交替P型和N型半导体器件结构的方法及其器件结构

68、N型Ⅲ族氮化物半导体叠层结构

69、三维多栅高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管

70、薄膜晶体管的N-型半导体材料

71、基于N型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器

72、苝n-型半导体和相关器件

73、n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石

74、N型金属氧化物半导体器件及其制作方法

75、一种无机化合物和该无机化合物作为N型掺杂物的有机半导体制成的电子器件及其制造方法

76、N型轻掺杂区域的形成方法及半导体器件的制造方法

77、半导体器件、n型MOS晶体管及其制作方法

78、有N-型半导体的设备

79、多电位场极板横向高压N型金属氧化物半导体管

80、多电位场极板横向高压N型金属氧化物半导体管

81、使用硅烷作为前驱体制备n-型半导体材料的方法

82、使用硅烷作为前驱体制备n-型半导体材料的方法

83、n型SiC半导体器件欧姆接触的制作方法

84、低电阻率n-型半导体金刚石及其制备方法

85、双栅高压N型金属氧化物半导体管

86、内置保护N型高压金属氧化物半导体管

87、高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管

88、N型有机半导体材料

89、用于薄膜晶体管的N型半导体材料

90、用于薄膜晶体管的N型半导体材料

91、含有低聚噻吩和n-型杂芳族单元的有机半导体共聚物

92、用于半导体N\P型致冷晶片表面电镀前处理的粗化液及相关的电镀前处理工艺

93、有相互接触的n型和P型导电区的半导体集成电路器件

94、化合物半导体的Ｎ型掺杂方法和用此法生产的电子及光器件

当前第1页
1

本套资料共包括115项技术资料，由于篇幅限制未能完整列出，请点击下载完整目录

马上订购

联系客服